收藏本站
RRQ045P03
l Electrical characteristic curves
Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(IV)
1000
V GS = - 4.0V
Pulsed
Fig.18 Typical Capacitance
vs. Drain - Source Voltage
10000
Data Sheet
100
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
1000
100
C rss
C iss
C oss
10
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
T a = 25oC
f = 1MHz
V GS = 0V
10 100
Drain Current : -I D [A]
Fig.19 Switching Characteristics
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.20 Dynamic Input Characteristics
10000
1000
t d(off)
t f
T a =25oC
V DD = - 15V
V GS = - 10V
R G =10 W
Pulsed
10
8
6
100
4
10
t r
t d(on)
2
T a =25oC
V DD = - 15V
I D = - 4.5A
R G =10 W
Pulsed
1
0.01
0.1
1
10
0
0
5
10
15
20
25
30
Drain Current : -I D [A]
Total Gate Charge : Q g [nC]
www.rohm.com
? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
8/11
2013.01 - Rev.C
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
RRR015P03TL MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
RRR030P03TL MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
RRR040P03TL MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
RSD050N06TL MOSFET N-CH 60V 5A SOT428
RSD200N10TL MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
RSE002P03TL MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416
RSF014N03TL MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
RSH070P05TB1 MOSFET P-CH 45V 7A SOP8
相关代理商/技术参数
RRQUADESATA6GB/SFORMAC 制造商:Highpoint Technology 功能描述:HIGHPOINT - Bulk
RRR015P03 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET
RRR015P03TL 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
RRR030P03 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET
RRR030P03TL 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RRR040P03 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET
RRR040P03TL 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
RRR250 制造商:Electrolube 功能描述:CLEANER, ROLLER RESTORER 250ML